LED产业还要快马加鞭(2004-08-16)

去年我国启动了半导体照明工程之后，掀起了LED产业的投资热潮，产业链各个环节的自主创新速度大大提高，而相关标准工作也在进行之中。但有关专家表示，与国外技术研发、产业化及标准制定速度相比，我国LED产业的发展还要快马加鞭。
上下游自有技术同获突破　　创新和产业化仍需提速
最近传来消息，中科院半导体研究所在用于氮化镓外延片生产的MOCVD设备研发方面取得突破，他们研制的样机已经可以向市场推广。LED产业链上最关键的设备就是OCVD，目前企业主要购买德国AIXTRON和美国EMCORE两家供应商的MOCVD，而每台设备的价格在70万美元到100万美元。此次突破，有望打破国外MOCVD设备长期处于垄断的局面。
据该项目负责人刘祥林研究员介绍，他们研制的MOCVD设备在反应室(如衬底旋转、喷气口、加热装置)和气路两方面都取得了关键性突破，可以一次生长3片和6片2英寸衬底。刘祥林强调，他们一直瞄准做一种实用的产品，而非一台样机，因此，从设计最初就考虑到设备的产品成本和使用维护成本。他举例说：“反应室是MOCVD设备的核心部分，我们对它的喷气口做了特殊处理，可以在外延片生长几十次甚至上百次之后才清洗一次，而国外的设备喷气口最多生长30次之后就要清洗；在加热装置方面，我们采用高频加热方法，而一些国外设备采用加热丝加热，最多使用千小时后就要更换，而一根加热丝要1.7万美元，非常昂贵；此外，气路是MOCVD设备中最贵的部分，增加一个气路需要15万元，而我们通过大量的实验，开发出了几台MOCVD共用一个气路的技术，从而大大降低了设备的成本。”
刘祥林表示，目前，他们希望多与用户进行交流和沟通，并采用一些灵活的销售策略，如在企业出一定费用的基础上由企业试用该设备，与此同时，他们也欢迎企业以技术入股的方式进行投资。
而在材料方面，江西南昌大学在“硅衬底上生长GaN技术”上取得突破；北京大学、清华大学、中科院半导体所都做出了1W的大功率芯片样片；国内封装骨干企业厦门华联等也在大功率芯片封装方面取得了进展。
虽然在超高亮和大功率LED方面的发展正在加快，但也有业内专家指出，国外超高亮LED业的发展近几年也加快了步伐，如年初市场上芯片的光强为1500mcd，而现在已经达到2200mcd，因此，只有我国政府、企业和研究机构携手努力，方能加快LED业的发展。
标准将覆盖完整产业链　　制定推广工作需加快
7月下旬，信息产业部在北京举办了“半导体器件标准化研讨会”。据信息产业部标准化研究所负责该标准起草工作的王幼林介绍，会后，他们将首先组织企业和研究机构成立“标准工作组”，再由该工作组开展标准制定、标准体系的建立和完善等工作。
此外，王幼林还介绍说，由于半导体照明产业链涵盖的环节非常多，他们已经决定制定一个全面的产业标准。“半导体照明标准将不是一个产品标准，它将包括从材料设备、芯片、封装工艺到应用的完整标准体系。由于工艺技术涉及到企业的商业秘密，因此，这一标准将由国家、行业和企业等多个不同级别的标准组成。”
在此之前，中国光学光电子行业协会光电器件分会已经制定了《半导体发光二极管测试方法》，现在正在全行业推广试行，取得了很好的效果。而该标准的创新之一就是制定了LED结温和热阻测试的标准方法。“考虑到LED迅速运用到照明领域，使得LED芯片向大功率方向发展，因此，LED的热学参数将对LED的功率、发光效率、寿命等产生巨大影响。参考国内外类似器件的测试方法，并在实际的研究工作中证明可行的基础上，我们制定了LED结温和热阻测试的标准方法。”浙江大学鲍超教授介绍说。目前，按照这个方法，一些单位进行了热阻测试设备的初步开发，测量了研制的功率LED器件，取得了良好效果。
有业内专家表示，目前，国际照明委员会等组织早就都出台了一系列相关标准，因此我国LED业相关标准的制定工作还要加快，这样，才能更好地适应LED业的快速发展。